介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)定儀
產(chǎn)品概述
介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)定儀實(shí)驗(yàn)原理:
介電體(又稱電介質(zhì))zui基本的物理性質(zhì)是它的介電性,對(duì)介電性的研究不但在電介質(zhì)材料的應(yīng)用上具有重要意義,而且也是了解電介質(zhì)的分子結(jié)構(gòu)和激化機(jī)理的重要分析手段之一,探索高介電常數(shù)的電介質(zhì)材料,對(duì)電子工業(yè)元器件的小型化有著重要的意義。介電常數(shù)(又稱電容率)是反映材料特性的重要參量,電介質(zhì)極化能力越強(qiáng),其介電常數(shù)就越大。測(cè)量介電常數(shù)的方法很多,常用的有比較法,替代法,電橋法,諧振法,表法,直流測(cè)量法和微波測(cè)量法等。各種方法各有特點(diǎn)和適用范圍,因而要根據(jù)材料的性能,樣品的形狀和尺寸大小及所需測(cè)量的頻率范圍等選擇適當(dāng)?shù)臏y(cè)量方法。
介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)定儀特點(diǎn):
◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù),使測(cè)Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005 。
◎ 能對(duì)固體絕緣材料在10kHz~120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。
◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH,保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。
◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù):Q值,測(cè)試頻率,調(diào)諧狀態(tài)等。
◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。
◎ DPLL合成發(fā)生1kHz~60MHz, 50kHz~160MHz測(cè)試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào) 源輸出口,所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。
◎ 測(cè)試裝置符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
主要技術(shù)指標(biāo):
2.1 tanδ和ε性能:
2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz~120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。
2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍:
tanδ:0.1~0.00005,ε:1~50
2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度(1MHz):
tanδ:±5%±0.00005,ε:±2%
工作頻率范圍:50kHz~50MHz 四位數(shù)顯,壓控振蕩器
Q值測(cè)量范圍:1~1000三位數(shù)顯,±1Q分辨率
可調(diào)電容范圍:40~500 pF ΔC±3pF
電容測(cè)量誤差:±1%±1pF
Q表殘余電感值:約20nH
標(biāo)簽:介電常數(shù)測(cè)試儀
介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀
介質(zhì)損耗因數(shù)角測(cè)試儀
裝置:
2.3.1 平板電容器極片尺寸::Φ38mm和Φ50mm二種.
2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率:0~8mm, ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性: 0.33 pF /mm±0.05 pF,
2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍:±12.5mm(±4.2pF)
2.3.5 裝置插頭間距:25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4
使用條件
①環(huán)境溫度: 0~40℃
②相對(duì)溫度:≤70%
③供電電流:交流 220V±10%50Hz
2.3 儀器可連續(xù)工作 8 小時(shí)
2.4 消耗功率:約 10W
2.5 外形尺寸:長(zhǎng)寬深 355mm×320mm×145mm
2.6 重量:約 6kg(主機(jī))
- 上一個(gè): bdjc-50kv介電擊穿強(qiáng)度試驗(yàn)儀50kv
- 下一個(gè): BDJC-50KV塑料漆膜電壓擊穿強(qiáng)度試驗(yàn)儀