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介質(zhì)損耗和介電常數(shù)試驗(yàn)儀

型 號(hào)gdat-a

更新時(shí)間2023-08-05

廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家

報(bào)價(jià)

產(chǎn)品描述:介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法

產(chǎn)品概述


介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
一、介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀概述

GDAT高頻 Q 表作為一代的通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試儀器,測(cè)試頻率上限達(dá)到目前高的160MHz。
GDAT高頻 Q 表采用了多項(xiàng)技術(shù):

¤雙掃描技術(shù) - 測(cè)試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描、自動(dòng)調(diào)諧搜索功能。 ¤雙測(cè)試要素輸入 - 測(cè)試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過(guò)數(shù)字按鍵輸入。 ¤雙數(shù)碼化調(diào)諧 - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧,數(shù)碼化電容調(diào)諧。 
¤自動(dòng)化測(cè)量技術(shù) -對(duì)測(cè)試件實(shí)施 Q 值、諧振點(diǎn)頻率和電容的自動(dòng)測(cè)量。 ¤全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號(hào)源頻率、諧振指針。 ¤DDS 數(shù)字直接合成的信號(hào)源 -確保信源的高葆真,頻率的高精確、幅度的高穩(wěn)定。 
gdat高頻Q表的創(chuàng)新設(shè)計(jì),無(wú)疑為高頻元器件的阻抗測(cè)量提供了*的解決方案,它給從事高頻電子設(shè)計(jì)的工程師、科研人員、高校實(shí)驗(yàn)室和電子制造業(yè)提供了更為方便的檢測(cè)工具
,測(cè)量值更為精確,測(cè)量效率更高。使用者能在儀器給出的任何頻率、任意點(diǎn)調(diào)諧電容值下檢測(cè)器件的品質(zhì),無(wú)須關(guān)注量程和換算單位。 


一、介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀概述
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);

儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。

它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制,測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定,諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索,Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換,數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至zui低,并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時(shí)更為方便,測(cè)量值更為精確。


 
  主要技術(shù)特性  
¤Q 值測(cè)量范圍  2 ~ 1023 ,¤ 量程分檔: 30 、 100 、 300 、 1000 ,¤自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔  固有誤差  ≤ 5 % ± 滿度值的 2 %( 200kHz ~ 10MHz ), ≤6% ± 滿度值的2%(10MHz~160MHz)  ¤工作誤差  ≤7% ± 滿度值的2% ( 200kHz ~ 10MHz ), ≤8% ± 滿度值的2%(10MHz~160MHz)  ¤電感測(cè)量范圍  4.5nH ~ 140mH  ¤電容直接測(cè)量范圍  1 ~ 200pF  ¤主電容調(diào)節(jié)范圍  18 ~ 220pF  ¤主電容調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度  100pF 以下 ± 1pF ; 100pF 以上 ± 1 %  ¤信號(hào)源頻率覆蓋范圍  100kHz ~ 160MHz  ¤頻率分段 ( 虛擬 )  100 ~ 999.999kHz , 1 ~ 9.99999MHz,10 ~ 99.9999MHz , 100 ~ 160MHz  
¤頻率指示誤差  3 × 10 -5 ± 1 個(gè)字  

搭配了全新的介質(zhì)損耗裝置與GDAT系列q表搭配使用
一 . 概述

BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置與本公司生產(chǎn)的各款高頻Q表配套,可用于測(cè)量絕緣材料的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗系數(shù)(損耗角正切值)

BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置是BD916914的換代產(chǎn)品,它采用了數(shù)顯微測(cè)量裝置,因而讀數(shù)方便,數(shù)據(jù)精確。
¤測(cè)試裝置由一個(gè)LCD數(shù)字顯示微測(cè)量裝置和一對(duì)間距可調(diào)的平板電容器極片組成。
¤平板電容器極片用于夾持被測(cè)材料樣品,微測(cè)量裝置則顯示被測(cè)材料樣品的厚度。
¤BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置須配用Q表作為調(diào)諧指示儀器,通過(guò)被測(cè)材料樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品時(shí)的Q值變化,測(cè)得絕緣材料的損耗角正切值。
¤從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數(shù)。 


BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置技術(shù)特性 

平板電容器: 極片尺寸:Φ50mm/Φ38mm 可選  
1.極片間距可調(diào)范圍:≥15mm 2. 夾具插頭間距:25mm±0.01mm 3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 (1MHz) 4.測(cè)微桿分辨率:0.001mm
 

 

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